化合物半導体基板
(InP、CdZnTe)
用途例


InP基板の特徴
- 光通信用の受発光素子材料として必須であるInP基板を長年提供しております。
- 世界最高レベルの品質で世界トップシェアを維持しております。
- デバイス品質向上のため、高い加工精度のウェハを提供しております。

*Total Thickness Variation
InPの新しい用途へのご提案
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高性能な衝突防止センサを実現可能
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目に安全な波長でのレーザーレーダーを実現可能
CdZnTe基板の特徴
- 当社独自の単結晶育成方法を用いることで、世界最高の高品質、大面積のCdZnTe単結晶を実現しております。
- 他マテリアルに比べCdZnTeは高精度な放射線検出が可能で、安定したX線検出を可能にします。
- 大型の赤外線センサを実現可能にする均一なZn濃度をもつ基板を提供しています。


化合物半導体基板ラインアップ
InP | Size | Orientation | Dopant |
---|---|---|---|
2inch 3inch 4inch | (100) | S, Sn, Zn, Fe, None |
CdZnTe | Size(mm) | Orientation | Dopant |
---|---|---|---|
10×10- 95×95 | (111),(211),(100) | Zn, None |