化合物半導体基板
(InP、CdZnTe)

用途例

InP基板の特徴

  • 光通信用の受発光素子材料として必須であるInP基板を長年提供しております。
  • 世界最高レベルの品質で世界トップシェアを維持しております。
  • デバイス品質向上のため、高い加工精度のウェハを提供しております。
TTV:1.5μm(4" InP wafer)
*Total Thickness Variation

InPの新しい用途へのご提案

  • 高性能な衝突防止センサを実現可能

  • 目に安全な波長でのレーザーレーダーを実現可能

CdZnTe基板の特徴

  • 当社独自の単結晶育成方法を用いることで、世界最高の高品質、大面積のCdZnTe単結晶を実現しております。
  • 他マテリアルに比べCdZnTeは高精度な放射線検出が可能で、安定したX線検出を可能にします。
  • 大型の赤外線センサを実現可能にする均一なZn濃度をもつ基板を提供しています。
大面積のCdZnTe基板
CdZnTe結晶の均一的なZn濃度の面内分布(%)

化合物半導体基板ラインアップ

InPSizeOrientationDopant
2inch
3inch
4inch
(100)S, Sn, Zn, Fe, None
CdZnTeSize(mm)OrientationDopant
10×10-
95×95
(111),(211),(100)Zn, None

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